如果一個元件的兩個針腳或更多針腳之間的電壓超過元件介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度，就會對元件造成損壞。這是MOS器件出現(xiàn)故障最主要的原因。氧化層越薄，則元件對靜電放電的敏感性也越大。故障通常表現(xiàn)為元件本身對電源有一定阻值的短路現(xiàn)象。對于雙極性元件，損壞一般發(fā)生在薄氧化層隔開的已進(jìn)行金屬噴鍍的有源半導(dǎo)體區(qū)域，因此會產(chǎn)生泄漏嚴(yán)重的路徑。

另一種故障是由于節(jié)點(diǎn)的溫度超過半導(dǎo)體硅的熔點(diǎn)（1415℃）時所引起的。靜電放電脈沖的能量可以產(chǎn)生局部地方發(fā)熱，因此出現(xiàn)這種機(jī)理的故障。即使電壓低于介質(zhì)的擊穿電壓，也會發(fā)生這種故障。一個典型的例子是，NPN型三極管發(fā)射極與基極間的擊穿會使電流增益急劇降低。

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